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    OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila
    		
              
    
            
    
            
    
                
    
                  
    
                      
    
                        OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila
                      
    
                      
    
                         點(diǎn)擊放大
                      
    
                  
    		
                  
    
                      
    
                        
    供應(yīng)數(shù)量：
    		
                        2721
                      
    
                      
    
                        
    發(fā)布日期：
    		
                        2025/10/4
                      
    
                      
    
                        
    有效日期：
    		
                        2026/4/4
                      
    
                      
    
                        
    原 產(chǎn) 地：
    		
                        
                      
    
                      
    
                        
    已獲點(diǎn)擊：
    		
                        2721
                      
    
                      
    
                        
    產(chǎn)品報(bào)價(jià)：
    		
                        
                      
    
                  
    		
                
    
              
    
                
    
                  
    
                     
                    [詳細(xì)資料]
                  
    
                
    
              
    
                  
    
                    
    只用于動(dòng)物實(shí)驗(yàn)研究等
    Low density bottom gate bottom contact prefabricated FET substrate Pre-fabricated low-density FET substrate.
    OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila
    Schematics
    Constant channel length design
    OFET測(cè)試晶片S181 Ossila測(cè)試晶片S182 代理Ossila
    Low density FET substrate mask dimensions (constant channel length)Constant channel width low-density FET design.
     
    Variable channel length design
    Low density OFET substrate mask dimensions (variable channel length)Variable channel width low-density FET design.

     
    		
                  
    
                
    
              
    
                  
    
                    想了解更詳細(xì)的產(chǎn)品信息，填寫下表直接與我們聯(lián)系：
                  
    
                
    
              
    
                
    
                  
                
    
              
    
              
    
                  
    
                     



    

    
	
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                請(qǐng)輸入計(jì)算結(jié)果（填寫阿拉伯?dāng)?shù)字），如：三加四=7
            
      
		
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